| FDMS86103L | |
|---|---|
| מספר חלק | FDMS86103L |
| יַצרָן | onsemi |
| תאור | MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN |
| כמות זמינה | 5000 pcs new original in stock. בקש מלאי והצעה |
| מודל ECAD | |
| גיליונות נתונים | 1.FDMS86103L.pdf2.FDMS86103L.pdf3.FDMS86103L.pdf4.FDMS86103L.pdf5.FDMS86103L.pdf6.FDMS86103L.pdf |
| FDMS86103L Price |
בקש מחיר & זמן להוביל באינטרנט or Email us: Info@ariat-tech.com |
| מידע טכני של FDMS86103L | |||
|---|---|---|---|
| מק"ט יצרן | FDMS86103L | קטגוריה | |
| יַצרָן | onsemi | תאור | MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN |
| אריזה / מארז | 8-PQFN (5x6) | כמות זמינה | 5000 pcs |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (מקס ') | ±20V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | מארז התקן של הספק | 8-PQFN (5x6) |
| סִדרָה | PowerTrench® | RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | אריזה / מארז | 8-PowerTDFN |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג השמה | Surface Mount | קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 3710 pF @ 50 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | סוג FET | N-Channel |
| מאפיין FET | - | כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| מספר מוצר בסיס | FDMS86103 | ||
| הורד | FDMS86103L PDF - EN.pdf | ||
מודל מוצר
FDMS86103L
הקדמה
MOSFET מסוג N-Channel שנועד לאפליקציות ניהול כוח בעלות יעילות גבוהה
שם וייצרן
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
תכונות
MOSFET עם צפיפות גבוהה בעל התנגדות נמוכה בחיבור, יכולות ניהול כוח יעילות, ומאופנן לביצועי מעבר מהירים
ביצועי מוצר
סך פיזור כוח מקסימלי: 2.5W בטמפרטורת סביבה, 104W עם טמפרטורת מארז, זרם ניקוז מתמשך: 12A בטמפרטורת סביבה, 49A עם טמפרטורת מארז, Rds(on) נמוך: 8 מOhm ב-12A ו-10V
ספציפיקציות טכניות
מתח ניקוז ל-source (Vdss): 100V, מתח שער ל-source (Vgs max): ±20V, מתח סף (Vgs(th) max): 3V ב-250µA, מטען שער (Qg max): 60nC ב-10V, קיבול קלט (Ciss max): 3710pF ב-50V, מתח הנעה: 4.5V (מינימום Rds On), 10V (מקסימום Rds On)
ממדים, צורה ואריזה
אריזת 8-PowerTDFN, מארז 8-PQFN (5x6), סוג אריזה: סרט ודיסק (TR)
איכות ואמינות
ללא עופרת ותואם ל-RoHS, רמת רגישות ללחות (MSL): 1 (מוגבל)
יתרונות המוצר
יעילות גבוהה עם הפחתת אובדן אנרגיה, ביצועים תרמיים משופרים תומכים באפליקציות של זרם וכוח גבוהים
תחרותיות המוצר
בחירה אופטימלית עבור אפליקציות מתח גבוהים שדורשות יעילות ואמינות, תחרותי בשווקים שדורשים פתרונות כוח עמידים וביצועים גבוהים
ת Congruent
מתאים לטכנולוגיית המתקנה על פני השטח (SMT) על בצעים שונים
אישור ותאימות לתקנים
ללא עופרת / תואם ל-RoHS
תוחלת חיים ונטרליות
נועד לאמינות בטווח הארוך בסביבות מאתגרות
תחומי השימוש האמיתיים
יחידות ספק כח, ממירי DC-DC, מנועי הנעה, מערכות ניהול סוללות, ווסתי מיתוג
שלח לנו דוא"ל: Info@Ariat-Tech.com או RFQ FDMS86103L Online.
| מלאי FDMS86103L | מחיר FDMS86103L | אלקטרוניקה FDMS86103L | |||
| רכיבים FDMS86103L | מלאי FDMS86103L | FDMS86103L Digikey | |||
| הספק FDMS86103L | להזמין FDMS86103L Online | חקירה FDMS86103L | |||
| תמונה FDMS86103L | תמונה FDMS86103L | FDMS86103L PDF | |||
| גיליון נתונים של FDMS86103L | הורד FDMS86103L גליון נתונים | יצרן | |||
| חלקים קשורים עבור FDMS86103L | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| תמונה | מספר חלק | תאור | יַצרָן | קבל ציטוט | |
 |
FDMS86150A | FET 100V 4.85 MOHM PQFN56 | onsemi | ||
 |
FDMS86150 | MOSFET N CH 100V 16A POWER56 | onsemi | ||
|
FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDMS86152 | MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56 | onsemi | ||
|
FDMS86101A | MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86101 MOS | FAIRCHILD QFN | FAIRCHILD | ||
|
FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V POWER56 | Fairchild/ON Semiconductor | ||
 |
FDMS86101 | MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86101 IC | FAIRCHILD QFN | FAIRCHILD | ||
|
FDMS86102LZ IC | ON QFN | ON | ||
|
FDMS86101DC | MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 | onsemi | ||
|
FDMS86150ET100 | MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 | onsemi | ||
|
FDMS8570SDC | 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL, | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDMS86104 MOS | FAIRCHILD DFN-856 | FAIRCHILD | ||
|
FDMS86102LZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86101E | MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86104 | MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN | onsemi | ||
|
FDMS86152 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
חֲדָשׁוֹת
יותר
Polarfire® Soc FPGA של Microchip קיבלה הסמכת AEC -Q100, המאשרת את אמינותה בתנאי רכב קשים, כולל פעולה ...
ה- PSOCTM 4000T הוא המוצר הראשון של אינפיניון המציג את הטכנולוגיה ™ Capsense מהדור החמישי של ...
מנהל ספקי חלקי רכב חשף כי פיתוח EV בשוק הצפון אמריקני נעצר כאשר יצרני הרכב בוחרים לה...
אינפיניון ואטרון מרחיבים את שיתוף הפעולה שלהם במערכת ניהול הסוללות AI (BMS) לאלקטרונ...
ב- Semiconductor הודיעה לאחרונה על השקת חיישן הזמן הראשון שלו בזמן אמת, עקיף זמן טיסה (ITOF), ...
מוצרים חדשים
יותר
PD30 סדרה הפוטואלקטרי חיישן החיישנים הפוטואלקטריים הקטנ...
XC112 / XR112 הערכה Kit עבור מכ"מ A111 פעימה מכ"םAconeer של XC112 ו XR112 הערכה הערכה עם כבלים גמישים ש...
סדרה של כוננים ומנועים Panasonic של MINAS A6 המשפחה מבטיחה פעול...
UV LED מנהל ההתקן RayVio של UV LED לוח הנהג עבור XE ו XP1 סדרה של emitt...
תעשייה מורחבת DDR SDRAM התקני DDR SDRAM של Insignis מבטיחים הפעלה ב...
דוא"ל: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966הוסף: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, הונג קונג.
הודעת זכויות יוצרים © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.כל הזכויות שמורות.