| FDA28N50F | |
|---|---|
| מספר חלק | FDA28N50F |
| יַצרָן | onsemi |
| תאור | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| כמות זמינה | 9350 pcs new original in stock. בקש מלאי והצעה |
| מודל ECAD | |
| גיליונות נתונים | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
| FDA28N50F Price |
בקש מחיר & זמן להוביל באינטרנט or Email us: Info@ariat-tech.com |
| מידע טכני של FDA28N50F | |||
|---|---|---|---|
| מק"ט יצרן | FDA28N50F | קטגוריה | |
| יַצרָן | onsemi | תאור | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| אריזה / מארז | TO-3PN | כמות זמינה | 9350 pcs |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (מקס ') | ±30V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | מארז התקן של הספק | TO-3PN |
| סִדרָה | UniFET™ | RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 310W (Tc) | אריזה / מארז | TO-3P-3, SC-65-3 |
| חֲבִילָה | Tube | טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג השמה | Through Hole | קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 5387 pF @ 25 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | סוג FET | N-Channel |
| מאפיין FET | - | כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| מספר מוצר בסיס | FDA28 | ||
| הורד | FDA28N50F PDF - EN.pdf | ||
מודל מוצר
FDA28N50F
הקדמה
MOSFET N-Channel 500V 28A, מיועד ליישומים של ניהול כוח ביעילות גבוהה.
שם וייצרן
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
תכונות
יכולת מתח גבוהה של עד 500V, זרם נמשך רציף של 28A בטמפרטורה של 25°C, Rds(on) נמוך של 175 mOhm הממקסם את היעילות, פיזור הספק גבוה של 310W, התקנה קלה באמצעות התקנה דרך חור.
ביצועי מוצר
פועל בצורה יעילה בטווח טמפרטורות של -55°C עד 150°C, תומך בטעינת שער של 105nC ב-10V, קיבולת כניסה של 5387pF ב-25V, מתח נהיגה של 10V עבור Rds On אופטימלי.
ספציפיקציות טכניות
סוג FET: N-Channel, מתח ניקוז למקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (מקסימלי) @ Id, Vgs: 175 mOhm, Vgs(th) (מקס) @ Id: 5V, טעינת שער (Qg) (מקס) @ Vgs: 105nC, קיבולת כניסה (Ciss) (מקס) @ Vds: 5387pF, מתח נהיגה (מקס Rds On, מינימום Rds On): 10V.
ממדים, צורה ואריזה
אריזת מכשיר: TO-3P-3, SC-65-3, אריזת ספק: TO-3PN, אריזת חומר: טיוב.
איכות ואמינות
ללא עופרת ואחראי על ציות לתקן RoHS, רמת רגישות ללחות (MSL): 1 (לא מוגבל).
יתרונות המוצר
יכולות מתח וזרם גבוהות המתאימות ליישומים תובעניים, התנגדות נמוכה מסייעת בהפחתת אובדן כוח.
תחרותיות המוצר
זמני אספקה תחרותיים של 6 שבועות, חלק מסדרת UniFET הידועה באמינות ובביצועים שלה.
ת Congruent
תואם לתהליכי התקנה דרך חור הסטנדרטיים.
אישור ותאימות לתקנים
סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: ללא עופרת / תואם ל-RoHS.
תוחלת חיים ונטרליות
בנייה עמידה המתאימה ליישומים תעשייתיים עם טווח טמפרטורות פעולה רחב.
תחומי השימוש האמיתיים
יחידות אספקת חשמל, בקרי מנוע, מעגלי היפוך, ספקי כוח במצב מתג.
שלח לנו דוא"ל: Info@Ariat-Tech.com או RFQ FDA28N50F Online.
| מלאי FDA28N50F | מחיר FDA28N50F | אלקטרוניקה FDA28N50F | |||
| רכיבים FDA28N50F | מלאי FDA28N50F | FDA28N50F Digikey | |||
| הספק FDA28N50F | להזמין FDA28N50F Online | חקירה FDA28N50F | |||
| תמונה FDA28N50F | תמונה FDA28N50F | FDA28N50F PDF | |||
| גיליון נתונים של FDA28N50F | הורד FDA28N50F גליון נתונים | יצרן | |||
| חלקים קשורים עבור FDA28N50F | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| תמונה | מספר חלק | תאור | יַצרָן | קבל ציטוט | |
 |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
 |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
|
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor | ||
חֲדָשׁוֹת
יותר
Polarfire® Soc FPGA של Microchip קיבלה הסמכת AEC -Q100, המאשרת את אמינותה בתנאי רכב קשים, כולל פעולה ...
ה- PSOCTM 4000T הוא המוצר הראשון של אינפיניון המציג את הטכנולוגיה ™ Capsense מהדור החמישי של ...
מנהל ספקי חלקי רכב חשף כי פיתוח EV בשוק הצפון אמריקני נעצר כאשר יצרני הרכב בוחרים לה...
אינפיניון ואטרון מרחיבים את שיתוף הפעולה שלהם במערכת ניהול הסוללות AI (BMS) לאלקטרונ...
ב- Semiconductor הודיעה לאחרונה על השקת חיישן הזמן הראשון שלו בזמן אמת, עקיף זמן טיסה (ITOF), ...
מוצרים חדשים
יותר
PD30 סדרה הפוטואלקטרי חיישן החיישנים הפוטואלקטריים הקטנ...
XC112 / XR112 הערכה Kit עבור מכ"מ A111 פעימה מכ"םAconeer של XC112 ו XR112 הערכה הערכה עם כבלים גמישים ש...
סדרה של כוננים ומנועים Panasonic של MINAS A6 המשפחה מבטיחה פעול...
UV LED מנהל ההתקן RayVio של UV LED לוח הנהג עבור XE ו XP1 סדרה של emitt...
תעשייה מורחבת DDR SDRAM התקני DDR SDRAM של Insignis מבטיחים הפעלה ב...
דוא"ל: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966הוסף: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, הונג קונג.
הודעת זכויות יוצרים © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.כל הזכויות שמורות.